个人基本信息：
梁琦，池州学院机电工程学院讲师，微电子科学与工程系专任教师，2022年博士毕业于北京工业大学材料科学与工程专业，研究领域为宽带隙半导体材料与器件制备，主要包括GaN薄膜材料与器件、纳米ZnO的制备。主讲课程包括：微电子材料、微电子工艺、单片机原理与应用。现已第一作者发表SCI论文7篇，以共同作者发表论文2篇，申请国家发明专利一篇，主持横向课题一项，参与了国家自然基金面上项目1项。
所属系：
微电子科学与工程系
研究领域：
纳米半导体材料与器件制备
代表性论文/著作：
1. Q. Liang, X. R Guo, T. T Quan, F. C Meng. P123 assisted synthesis and characterization of urchin-like γ-Al2O3 hollow microspheres. Journal of Advanced Ceramics, 2016, 5(3): 225-231.
2. Q. Liang, R. Z Wang, M. Q Yang, Y. Ding, C. H Wang. A green, low-cost method to prepare GaN films by plasma enhanced chemical vapor deposition. Thin Solid Film, 2020, 710: 138266.
3. 梁琦，王如志，杨孟骐，王长昊，刘金伟. Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能研究. 物理学报，2020，69(8): 087801.
4. Q. Liang, M. Q Yang, C. H Wang, R. Z Wang. A simple method to synthesize worm-like AlN nanowires and its field emission studies. Chinese Physics B, 2021, 30(8): 087302.
5. 梁琦，杨孟骐，张京阳，王如志. PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能研究. 物理学报，2022，71(9): 097302.
6. Qi Liang, Weifeng Wu, Huajie Xu, Effect of [100] preferred orientation on photoelectric properties of GaN films prepared by PECVD method, Optical Materials 2025, 168: 117367.
7. Qi Liang, Weifeng Wu，Huajie Xu, Tailoring crystal quality in ZnO nanomaterials for enhanced photocatalytic performances toward removals of organic pollutants for environmental protection. Journal of nanoparticle research, 2026.
8. Qi Liang, Huajie Xu, Weifeng Wu，The preparation of n-type GaN films with good crystal quality by plasma enhanced chemical vapor deposition for optoelectronic devices.(第一作者，手稿在投)
9. X. Y Feng, R. Z Wang, Q. Liang, Y. H Ji, M. Q Yang. Direct growth of GaN nanowires by Ga and N2 without catalysis. Crystal Growth & Design, 2019，19: 2687-2694.
10. 杨孟骐，姬宇航，梁琦，王长昊，张跃飞，张铭，王波，王如志. 四方结构 GaN 纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究. 物理学报，2020, 69(16): 167805.
专利：
王如志，梁琦，杨孟骐.一种高结晶GaN薄膜的制备方法. (公开号：CN113930745A)
